JFET
 

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JFET 전체 상품 670 개
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상품번호 : 1647666
U441-E3
JFET DUAL P-CH 25V TO-71
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 튜브 / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 6mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 1V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-71-6 / 공급 장치 패키지 : / 전력 - 최대 : 500mW
판매가 24,944원
상품번호 : 1647665
U441
JFET DUAL P-CH 25V TO-71
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 튜브 / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 6mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 1V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-71-6 / 공급 장치 패키지 : / 전력 - 최대 : 500mW
판매가 24,944원
상품번호 : 1647664
U440-E3
JFET DUAL P-CH 25V TO-71
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 튜브 / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 6mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 1V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-71-6 / 공급 장치 패키지 : / 전력 - 최대 : 500mW
판매가 24,944원
상품번호 : 1647663
U440
JFET DUAL P-CH 25V TO-71
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 튜브 / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 6mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 1V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-71-6 / 공급 장치 패키지 : / 전력 - 최대 : 500mW
판매가 24,944원
상품번호 : 1647662
U431
JFET DUAL P-CH 25V TO-78
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 튜브 / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 24mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 2V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 5pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-78-6 금속 캔 / 공급 장치 패키지 : TO-78-6 / 전력 - 최대 : 500mW
판매가 24,944원
상품번호 : 1647661
U430-E3
JFET DUAL P-CH 25V TO-78
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 튜브 / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 12mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 1V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 5pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-78-6 금속 캔 / 공급 장치 패키지 : TO-78-6 / 전력 - 최대 : 500mW
판매가 24,944원
상품번호 : 1647660
U430
JFET P-CH 25V TO-78
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 튜브 / 계열 : / FET 유형 : 2 N-Chan(이중) / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 12mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 1V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 5pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-78-6 금속 캔 / 공급 장치 패키지 : TO-78-6 / 전력 - 최대 : 500mW
판매가 24,944원
상품번호 : 1647659
U310-E3
JFET P-CH 25V TO-52
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 튜브 / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 24mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 2.5V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 5pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-206AC, TO-52-3, 금속 캔 / 공급 장치 패키지 : TO-206AC(TO-52) / 전력 - 최대 : 500mW
판매가 16,558원
상품번호 : 1647658
U291-E3
JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 튜브 / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 200mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 1.5V @ 3nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 160pF @ 0V / 저항 - RDS(On) : 7옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-206AC, TO-52-3, 금속 캔 / 공급 장치 패키지 : TO-206AC(TO-52) / 전력 - 최대 : 500mW
판매가 16,558원
상품번호 : 1647657
U291
JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 튜브 / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 200mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 1.5V @ 3nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 160pF @ 0V / 저항 - RDS(On) : 7옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-206AC, TO-52-3, 금속 캔 / 공급 장치 패키지 : TO-206AC(TO-52) / 전력 - 최대 : 500mW
판매가 16,558원
상품번호 : 1647656
U290-E3
JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 튜브 / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 500mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 4V @ 3nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 160pF @ 0V / 저항 - RDS(On) : 3옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-206AC, TO-52-3, 금속 캔 / 공급 장치 패키지 : TO-206AC(TO-52) / 전력 - 최대 : 500mW
판매가 16,558원
상품번호 : 1647655
U290
JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 튜브 / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 500mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 4V @ 3nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 160pF @ 0V / 저항 - RDS(On) : 3옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-206AC, TO-52-3, 금속 캔 / 공급 장치 패키지 : TO-206AC(TO-52) / 전력 - 최대 : 500mW
판매가 16,558원
상품번호 : 1647654
U1898_D27Z
JFET N-CH 40V 0.625W TO92
제조사 : Fairchild Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 40V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 15mA @ 20V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 2V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 16pF @ 20V / 저항 - RDS(On) : 50옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 성형 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : TO-92-3 / 전력 - 최대 : 625mW

단위 2000

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상품번호 : 1647653
U1898
JFET N-CH 40V 0.625W TO92
제조사 : Fairchild Semiconductor / 포장 : 벌크 / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 40V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 15mA @ 20V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 2V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 16pF @ 20V / 저항 - RDS(On) : 50옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-226-3, TO-92-3 표준 본체 / 공급 장치 패키지 : TO-92-3 / 전력 - 최대 : 625mW
상품번호 : 1647652
U1897
JFET N-CH 40V 0.625W TO92
제조사 : Fairchild Semiconductor / 포장 : 벌크 / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 40V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 30mA @ 20V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 5V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 16pF @ 20V / 저항 - RDS(On) : 30옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-226-3, TO-92-3 표준 본체 / 공급 장치 패키지 : TO-92-3 / 전력 - 최대 : 625mW
상품번호 : 1647651
TIS75_J35Z
JFET N-CH 30V 0.35W TO92
제조사 : Fairchild Semiconductor / 포장 : 벌크 / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 8mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 800mV @ 4nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 18pF @ 10V(VGS) / 저항 - RDS(On) : 60옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-226-3, TO-92-3 표준 본체 / 공급 장치 패키지 : TO-92-3 / 전력 - 최대 : 350mW
상품번호 : 1647650
TIS75_D75Z
JFET N-CH 30V 0.35W TO92
제조사 : Fairchild Semiconductor / 포장 : 테이프 및 박스(TB) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 8mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 800mV @ 4nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 18pF @ 10V(VGS) / 저항 - RDS(On) : 60옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 성형 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : TO-92-3 / 전력 - 최대 : 350mW
상품번호 : 1647649
TIS75_D26Z
JFET N-CH 30V 0.35W TO92
제조사 : Fairchild Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 8mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 800mV @ 4nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 18pF @ 10V(VGS) / 저항 - RDS(On) : 60옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 성형 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : TO-92-3 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 2000

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상품번호 : 1647648
TIS75
JFET N-CH 30V 0.35W TO92
제조사 : Fairchild Semiconductor / 포장 : 벌크 / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 8mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 800mV @ 4nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 18pF @ 10V(VGS) / 저항 - RDS(On) : 60옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-226-3, TO-92-3 표준 본체 / 공급 장치 패키지 : TO-92-3 / 전력 - 최대 : 350mW
상품번호 : 1647647
TIS74_J35Z
JFET N-CH 30V 0.35W TO92
제조사 : Fairchild Semiconductor / 포장 : 벌크 / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 20mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 2V @ 4nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 18pF @ 10V(VGS) / 저항 - RDS(On) : 40옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-226-3, TO-92-3 표준 본체 / 공급 장치 패키지 : TO-92-3 / 전력 - 최대 : 350mW
상품번호 : 1647646
TIS74
JFET N-CH 30V 0.35W TO92
제조사 : Fairchild Semiconductor / 포장 : 벌크 / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 20mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 2V @ 4nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 18pF @ 10V(VGS) / 저항 - RDS(On) : 40옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-226-3, TO-92-3 표준 본체 / 공급 장치 패키지 : TO-92-3 / 전력 - 최대 : 350mW
상품번호 : 1647645
TF412ST5G
JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 1.2mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 10mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 180mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 4pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-XFDFN / 공급 장치 패키지 : SOT-883(XDFN3)(1x0.6) / 전력 - 최대 : 100mW

단위 8000

판매가 154원
상품번호 : 1647644
TF412ST5G
JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 1.2mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 10mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 180mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 4pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-XFDFN / 공급 장치 패키지 : SOT-883(XDFN3)(1x0.6) / 전력 - 최대 : 100mW
판매가 749원
상품번호 : 1647643
TF410-TL-H
JFET N-CH 1MA 30MW USFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 40V / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 50µA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 0.7pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-USFP / 전력 - 최대 : 30mW

단위 10000

판매가 154원
상품번호 : 1647642
TF408-3-TL-H
JFET N-CH 10MA 30MW USFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 1.2mA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 10mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 180mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 4pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-USFP / 전력 - 최대 : 30mW

단위 10000

판매가 154원
상품번호 : 1647641
TF408-2-TL-H
JFET N-CH 10MA 30MW USFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 600µA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 10mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 180mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 4pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-USFP / 전력 - 최대 : 30mW

단위 10000

판매가 154원
상품번호 : 1647640
TF262TH-5-TL-H
JFET N-CH 1MA 100MW
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 210µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 200mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.5pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

단위 8000

판매가 132원
상품번호 : 1647639
TF262TH-4-TL-H
JFET N-CH 1MA 100MW
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 140µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 200mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.5pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

단위 8000

판매가 132원
상품번호 : 1647638
TF256TH-5-TL-H
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 240µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 100mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.1pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

단위 8000

전화주세요
상품번호 : 1647637
TF256TH-4-TL-H
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 140µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 100mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.1pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

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상품번호 : 1647636
TF256TH-3-TL-H
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 100µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 100mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.1pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

단위 8000

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상품번호 : 1647635
TF256-5-TL-H
JFET N-CH 1MA 30MW USFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 240µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 100mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.1pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-1123 / 공급 장치 패키지 : 3-USFP / 전력 - 최대 : 30mW

단위 10000

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상품번호 : 1647634
TF256-4-TL-H
JFET N-CH 1MA 30MW USFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 140µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 100mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.1pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-1123 / 공급 장치 패키지 : 3-USFP / 전력 - 최대 : 30mW

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상품번호 : 1647633
TF256-3-TL-H
JFET N-CH 1MA 30MW USFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 100µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 100mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.1pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-USFP / 전력 - 최대 : 30mW

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상품번호 : 1647632
TF252TH-5-TL-H
JFET N-CH 0.1W 3VTFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 210µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 100mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.1pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

단위 8000

판매가 83원
상품번호 : 1647631
TF252TH-5-TL-H
JFET N-CH 0.1W 3VTFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 210µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 1V @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.1pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-VTFP / 전력 - 최대 : 100mW
판매가 562원
상품번호 : 1647630
TF252TH-4-TL-H
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 140µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 100mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.1pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

단위 16000

판매가 70원
상품번호 : 1647629
TF252TH-4A-TL-H
JFET N-CH 1MA 100MW
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 140µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 100mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.1pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

단위 8000

판매가 143원
상품번호 : 1647628
TF252-5-TL-H
JFET N-CH 1MA 30MW USFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 210µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 100mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.1pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-USFP / 전력 - 최대 : 30mW

단위 10000

판매가 103원
상품번호 : 1647627
TF252-4-TL-H
JFET N-CH 1MA 30MW USFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 140µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 100mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.1pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-USFP / 전력 - 최대 : 30mW

단위 10000

판매가 125원
상품번호 : 1647626
TF208TH-5-TL-H
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 210µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 100mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 5pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

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상품번호 : 1647625
TF208TH-4-TL-H
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 140µA @ 2V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 100mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 5pF @ 2V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

단위 8000

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상품번호 : 1647624
TF202THC-L5-TL-H
JFET N-CH 1MA 100MW
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 210µA @ 5V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 200mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.5pF @ 5V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

단위 16000

판매가 74원
상품번호 : 1647623
TF202THC-5-TL-H
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 210µA @ 5V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 200mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.5pF @ 5V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

단위 16000

판매가 61원
상품번호 : 1647622
TF202THC-4-TL-H
JFET N-CH 0.1W VTFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 140µA @ 5V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 200mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.5pF @ 5V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

단위 8000

판매가 72원
상품번호 : 1647621
TF202THC-4-TL-H
JFET N-CH 0.1W VTFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 140µA @ 5V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 200mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.5pF @ 5V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-VTFP / 전력 - 최대 : 100mW
판매가 484원
상품번호 : 1647620
TF202THC-3-TL-H
JFET N-CH 1MA 100MW VTFP
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 140µA @ 5V / 전류 드레인(Id) - 최대 : 1mA / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 200mV @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3.5pF @ 5V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 3-SMD, 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 3-VTFP / 전력 - 최대 : 100mW

단위 16000

판매가 87원
상품번호 : 1647619
SST5486-T1-E3
JFET P-CH 35V 8MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 8mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 2V @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 5pF @ 15V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 3000

판매가 520원
상품번호 : 1647618
SST5486-E3
JFET P-CH 35V 8MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 8mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 2V @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 5pF @ 15V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 1000

판매가 499원
상품번호 : 1647617
SST5485-T1-E3
JFET P-CH 35V 4MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 4mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 500mV @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 5pF @ 15V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 3000

판매가 547원
상품번호 : 1647616
SST5485-E3
JFET P-CH 35V 4MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 4mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 500mV @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 5pF @ 15V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 1000

판매가 550원
상품번호 : 1647615
SST5484-T1-E3
JFET P-CH 35V 1MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 1mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 300mV @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 5pF @ 15V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 3000

판매가 543원
상품번호 : 1647614
SST5484-E3
JFET P-CH 35V 1MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 1mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 300mV @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 5pF @ 15V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 1000

판매가 525원
상품번호 : 1647613
SST5462-T1-E3
JFET P-CH 55V 4MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : P-Chan / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 40V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 4mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 1.8V @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 7pF @ 15V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 3000

판매가 543원
상품번호 : 1647612
SST5461-T1-E3
JFET P-CH 55V 2MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : P-Chan / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 40V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 2mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 1V @ 1µA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 7pF @ 15V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 3000

판매가 569원
상품번호 : 1647611
SST4416-T1-E3
JFET N-CH 36V 5MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 5mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 3V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 2.2pF @ 15V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 3000

판매가 656원
상품번호 : 1647610
SST4416-E3
JFET N-CH 36V 5MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 5mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 3V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 2.2pF @ 15V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 1000

판매가 633원
상품번호 : 1647609
SST4119-T1-E3
JFET N-CH 70V 200UA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 40V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 200µA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 2V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : TO-236 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 3000

판매가 722원
상품번호 : 1647608
SST4118-T1-E3
JFET N-CH 70V 80UA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 40V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 80µA @ 10V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 1V @ 1nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 3pF @ 10V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 3000

판매가 788원
상품번호 : 1647607
SST204-T1-E3
JFET N-CH 25V 0.35W SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 200µA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 300mV @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 4.5pF @ 15V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 3000

판매가 543원
상품번호 : 1647606
SST204-E3
JFET N-CH 25V .7MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 40V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 200µA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 300mV @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 4.5pF @ 15V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 1000

판매가 525원
상품번호 : 1647605
SST201-T1-E3
JFET N-CH 25V .7MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 40V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 200µA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 300mV @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 4.5pF @ 15V / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 3000

판매가 678원
상품번호 : 1647604
SST175-T1-E3
MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3
제조사 : Vishay Dale / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : / 저항 - RDS(On) : / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : TO-236(SOT-23) / 전력 - 최대 :

단위 3000

판매가 678원
상품번호 : 1647603
SST174-T1-E3
JFET N-CH 30V 20MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : P-Chan / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 20mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 5V @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 20pF @ 0V / 저항 - RDS(On) : 85옴 / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 3000

판매가 722원
상품번호 : 1647602
SST174-E3
JFET N-CH 30V 20MA SOT-23
제조사 : Vishay Siliconix / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : P-Chan / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 20mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 5V @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 20pF @ 0V / 저항 - RDS(On) : 85옴 / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : TO-236 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 1000

판매가 703원
상품번호 : 1647601
SMMBFJ177LT1G
TRANS JFET P-CH SOT23
제조사 : ON Semiconductor / 계열 : 자동차, AEC-Q101 / FET 유형 : P-Chan / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 1.5mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 800mV @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 11pF @ 10V(VGS) / 저항 - RDS(On) : 300옴 / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 : / 전력 - 최대 : 225mW
판매가 332원
상품번호 : 1647600
SMMBFJ175LT1G
TRANS JFET P-CH 30V SOT23
제조사 : ON Semiconductor / 계열 : / FET 유형 : P-Chan / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 7mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 3V @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 11pF @ 10V(VGS) / 저항 - RDS(On) : 125옴 / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 : / 전력 - 최대 : 225mW
판매가 332원
상품번호 : 1647599
SMMBF4393LT1G
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 30mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 3V @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 14pF @ 15V(VGS) / 저항 - RDS(On) : 100옴 / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23-3 / 전력 - 최대 : 225mW

단위 3000

판매가 362원
상품번호 : 1647598
SMMBF4391LT1G
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
제조사 : ON Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 30V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 50mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 4V @ 10nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 14pF @ 15V(VGS) / 저항 - RDS(On) : 30옴 / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23-3(TO-236) / 전력 - 최대 : 225mW

단위 3000

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상품번호 : 1647597
PN5434_D27Z
JFET N-CH 25V 0.35W TO92
제조사 : Fairchild Semiconductor / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : N채널 / 전압 - 항복(V(BR)GSS) : 25V / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : / 전류 - 드레인(Idss) @ Vds : 30mA @ 15V / 전류 드레인(Id) - 최대 : / 전압 - 차단(VGS 꺼짐) @ Id : 1V @ 3nA / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 30pF @ 10V(VGS) / 저항 - RDS(On) : 10옴 / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : TO-226-3, TO-92-3(TO-226AA) 성형 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : TO-92-3 / 전력 - 최대 : 350mW

단위 2000

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