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상품번호 : 2083357

OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 300ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.36V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CQC, cUR, UR VDE

단위 750

상품번호 : 2083356

OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 300ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.36V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CQC, cUR, UR VDE

상품번호 : 2083355

IC GATE DRIVER 2.5A 5LSOP

제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 48kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 300ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.36V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) 5 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 5-LSOP / 승인 : CQC, cUL, UL, VDE

단위 3000

상품번호 : 2083354

IC GATE DRIVER 2.5A 5LSOP

제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 48kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 300ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.36V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) 5 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 5-LSOP / 승인 : CQC, cUL, UL, VDE

상품번호 : 2083353

OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 500mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.3V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR, VDE

단위 2000

상품번호 : 2083352

OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 500mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.3V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD(300mil) / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR

단위 1000

상품번호 : 2083351

OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 500mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.3V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD(300mil) / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR

상품번호 : 2083350

OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR, VDE

단위 1000

상품번호 : 2083349

OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD(300mil) / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR

단위 1000

상품번호 : 2083348

OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD(300mil) / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR

상품번호 : 2083347

OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8DIP

제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : cUR, UR, VDE

상품번호 : 2083346

OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8DIP

제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : cUR, UR

상품번호 : 2083345

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 35ns, 15ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : cUR, UR

상품번호 : 2083344

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 300mA, 300mA / 전류 - 피크 출력 : 450mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 20 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR

단위 1500

상품번호 : 2083343

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 300mA, 300mA / 전류 - 피크 출력 : 450mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 20 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR

상품번호 : 2083342

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 300mA, 300mA / 전류 - 피크 출력 : 450mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.63V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 20 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR

상품번호 : 2083341

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 500ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : cUR, UR

상품번호 : 2083340

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 350ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : cUR, UR

상품번호 : 2083339

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR

단위 1500

상품번호 : 2083338

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR

상품번호 : 2083337

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR

상품번호 : 2083336

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 250ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : cUR, UR

상품번호 : 2083335

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 1.5A, 1.5A / 전류 - 피크 출력 : 2A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR

상품번호 : 2083334

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

단위 1500

상품번호 : 2083333

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083332

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083331

TLP5754(D4-TP,E

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

단위 1500

상품번호 : 2083330

TLP5754(D4-TP,E

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

상품번호 : 2083329

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

상품번호 : 2083328

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

단위 1500

상품번호 : 2083327

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083326

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083325

TLP5752(D4-TP,E

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

단위 1500

상품번호 : 2083324

TLP5752(D4-TP,E

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

상품번호 : 2083323

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

상품번호 : 2083322

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 1A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

단위 1500

상품번호 : 2083321

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 1A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083320

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 1A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083319

TLP5751(D4-TP,E

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 1A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

단위 1500

상품번호 : 2083318

TLP5751(D4-TP,E

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 1A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

상품번호 : 2083317

OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 1A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

상품번호 : 2083316

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 16SO

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 32ns, 18ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.7V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 16-SO / 승인 :

단위 1500

상품번호 : 2083315

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 16SO

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 32ns, 18ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.7V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 16-SO / 승인 :

상품번호 : 2083314

TLP5214(D4-TP,E

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 16SO

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 32ns, 18ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.7V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 16-SO / 승인 :

단위 1500

상품번호 : 2083313

TLP5214(D4-TP,E

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 16SO

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 32ns, 18ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.7V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 16-SO / 승인 :

상품번호 : 2083312

OPTOISO 5KV GATE DRIVER 16SO

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 32ns, 18ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.7V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 16-SO / 승인 :

상품번호 : 2083311

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 250ns / 상승/하강 시간(통상) : 17ns, 17ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 5A, 5A / 전류 - 피크 출력 : 6A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR

단위 1500

상품번호 : 2083310

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 17ns, 17ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 5A, 5A / 전류 - 피크 출력 : 6A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR

단위 1500

상품번호 : 2083309

TLP352F(D4-TP4,F)

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

단위 1000

상품번호 : 2083308

TLP352F(D4-TP4,F)

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

상품번호 : 2083307

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

상품번호 : 2083306

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL

단위 1500

상품번호 : 2083305

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083304

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083303

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083302

TLP352(D4-TP1,F)

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

단위 1500

상품번호 : 2083301

TLP352(D4-TP1,F)

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

상품번호 : 2083300

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083299

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 :

단위 1500

상품번호 : 2083298

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8DIP

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 :

상품번호 : 2083297

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

단위 1500

상품번호 : 2083296

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

상품번호 : 2083295

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8DIP

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : UR

상품번호 : 2083294

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 1µs, 1µs / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 100mA, 100mA / 전류 - 피크 출력 : 400mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

단위 1500

상품번호 : 2083293

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 1µs, 1µs / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 100mA, 100mA / 전류 - 피크 출력 : 400mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

상품번호 : 2083292

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8DIP

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 1µs, 1µs / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 100mA, 100mA / 전류 - 피크 출력 : 400mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : UR

상품번호 : 2083291

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 1.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

상품번호 : 2083290

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 1.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

단위 1500

상품번호 : 2083289

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 1.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

상품번호 : 2083288

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 1.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

단위 1500

상품번호 : 2083287

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8DIP

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 1.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : UR

상품번호 : 2083286

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 350ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 200mA, 200mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

단위 2500

상품번호 : 2083285

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 350ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 200mA, 200mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083284

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 350ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 200mA, 200mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083283

ISOLATOR 3.75KVRMS GATE DRVR SO6

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 35ns, 15ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 : CSA, cUL, UL

단위 3000

상품번호 : 2083282

ISOLATOR 3.75KVRMS GATE DRVR SO6

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 35ns, 15ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083281

ISOLATOR 3.75KVRMS GATE DRVR SO6

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 35ns, 15ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083280

PHOTOCOUPLER GATE DRIVE SO6

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 145ns, 165ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 18ns, 22ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 :

단위 3000

상품번호 : 2083279

PHOTOCOUPLER GATE DRIVE SO6

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 145ns, 165ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 18ns, 22ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 :

상품번호 : 2083278

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 6SO-5

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 350ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 : cUR, UR

단위 3000

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