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상품번호 : 2083357
VOW3120-X017T
OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD
제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 300ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.36V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CQC, cUR, UR VDE

단위 750

판매가 3,973원
(부가세별도)
상품번호 : 2083356
VOW3120-X017T
OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD
제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 300ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.36V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CQC, cUR, UR VDE
판매가 6,532원
(부가세별도)
상품번호 : 2083355
VOL3120-X001T
IC GATE DRIVER 2.5A 5LSOP
제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 48kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 300ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.36V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) 5 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 5-LSOP / 승인 : CQC, cUL, UL, VDE

단위 3000

판매가 1,365원
(부가세별도)
상품번호 : 2083354
VOL3120-X001T
IC GATE DRIVER 2.5A 5LSOP
제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 48kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 300ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.36V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) 5 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : 5-LSOP / 승인 : CQC, cUL, UL, VDE
판매가 3,985원
(부가세별도)
상품번호 : 2083353
VO3150A-X017T
OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD
제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 500mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.3V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR, VDE

단위 2000

판매가 1,164원
(부가세별도)
상품번호 : 2083352
VO3150A-X007T
OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD
제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 500mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.3V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD(300mil) / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR

단위 1000

판매가 1,189원
(부가세별도)
상품번호 : 2083351
VO3150A-X007T
OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD
제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 500mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.3V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD(300mil) / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR
판매가 3,290원
(부가세별도)
상품번호 : 2083350
VO3120-X019T
OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD
제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR, VDE

단위 1000

판매가 1,444원
(부가세별도)
상품번호 : 2083349
VO3120-X007T
OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD
제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD(300mil) / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR

단위 1000

판매가 1,401원
(부가세별도)
상품번호 : 2083348
VO3120-X007T
OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8SMD
제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD(300mil) / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR
판매가 3,876원
(부가세별도)
상품번호 : 2083347
VO3120-X001
OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8DIP
제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : cUR, UR, VDE
판매가 1,284원
(부가세별도)
상품번호 : 2083346
VO3120
OPTOISO 5.3KV GATE DRIVER 8DIP
제조사 : Vishay Semiconductor Opto Division / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5300Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 25kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 400ns, 400ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 200ns / 상승/하강 시간(통상) : 100ns, 100ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 32 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : cUR, UR
판매가 2,826원
(부가세별도)
상품번호 : 2083345
TLP705A(F)
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 35ns, 15ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : cUR, UR
판매가 4,323원
(부가세별도)
상품번호 : 2083344
TLP705(TP,F)
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 300mA, 300mA / 전류 - 피크 출력 : 450mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 20 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR

단위 1500

판매가 1,274원
(부가세별도)
상품번호 : 2083343
TLP705(TP,F)
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 300mA, 300mA / 전류 - 피크 출력 : 450mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 20 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR
판매가 3,521원
(부가세별도)
상품번호 : 2083342
TLP705(F)
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 300mA, 300mA / 전류 - 피크 출력 : 450mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.63V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 20 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR
판매가 1,853원
(부가세별도)
상품번호 : 2083341
TLP701H(F)
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 500ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : cUR, UR
판매가 4,432원
(부가세별도)
상품번호 : 2083340
TLP701A(F)
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 350ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : cUR, UR
판매가 4,155원
(부가세별도)
상품번호 : 2083339
TLP701(TP,F)
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR

단위 1500

판매가 1,061원
(부가세별도)
상품번호 : 2083338
TLP701(TP,F)
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR
판매가 2,933원
(부가세별도)
상품번호 : 2083337
TLP701(F)
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR
판매가 1,544원
(부가세별도)
상품번호 : 2083336
TLP700H(F)
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 250ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : cUR, UR
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상품번호 : 2083335
TLP700(F)
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP GW
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 1.5A, 1.5A / 전류 - 피크 출력 : 2A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.268", 6.80mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP 갈매기날개형 / 승인 : UR
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TLP5754(TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

단위 1500

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TLP5754(TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL
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TLP5754(E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL
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TLP5754(D4-TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

단위 1500

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TLP5754(D4-TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE
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TLP5754(D4,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE
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TLP5752(TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

단위 1500

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TLP5752(TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL
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TLP5752(E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL
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TLP5752(D4-TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

단위 1500

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TLP5752(D4-TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE
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상품번호 : 2083323
TLP5752(D4,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE
판매가 3,938원
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상품번호 : 2083322
TLP5751(TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 1A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

단위 1500

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TLP5751(TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 1A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL
판매가 4,000원
(부가세별도)
상품번호 : 2083320
TLP5751(E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 1A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL
판매가 3,628원
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상품번호 : 2083319
TLP5751(D4-TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 1A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

단위 1500

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상품번호 : 2083318
TLP5751(D4-TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 1A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE
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상품번호 : 2083317
TLP5751(D4,E
OPTOISO 5KV GATE DRVR SO6L
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : / 전류 - 피크 출력 : 1A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SO / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE
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상품번호 : 2083316
TLP5214(TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 16SO
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 32ns, 18ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.7V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 16-SO / 승인 :

단위 1500

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상품번호 : 2083315
TLP5214(TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 16SO
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 32ns, 18ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.7V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 16-SO / 승인 :
판매가 13,900원
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상품번호 : 2083314
TLP5214(D4-TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 16SO
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 32ns, 18ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.7V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 16-SO / 승인 :

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상품번호 : 2083313
TLP5214(D4-TP,E
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 16SO
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 32ns, 18ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.7V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 16-SO / 승인 :
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상품번호 : 2083312
TLP5214(D4,E
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 16SO
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 150ns, 150ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 32ns, 18ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 3A, 3A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.7V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 16-SO / 승인 :
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TLP358H(TP1,F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8SMD
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 250ns / 상승/하강 시간(통상) : 17ns, 17ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 5A, 5A / 전류 - 피크 출력 : 6A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR

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TLP358(TP1,F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8SMD
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 17ns, 17ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 5A, 5A / 전류 - 피크 출력 : 6A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : cUR, UR

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TLP352F(D4-TP4,F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

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TLP352F(D4-TP4,F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE
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TLP352F(D4,F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE
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TLP352(TP1,F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL

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TLP352(TP1,F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL
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TLP352(LF1,F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL
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TLP352(F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : CSA, cUL, UL
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상품번호 : 2083302
TLP352(D4-TP1,F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE

단위 1500

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상품번호 : 2083301
TLP352(D4-TP1,F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SMD
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : CSA, cUL, UL, VDE
판매가 2,933원
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상품번호 : 2083300
TLP352(D4,F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : CSA, cUL, UL
판매가 3,027원
(부가세별도)
상품번호 : 2083299
TLP351(TP1,F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8SMD
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 :

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상품번호 : 2083298
TLP351(F)
OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8DIP
제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 :
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