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					|  | .jpg)  | 
							
							상품번호 : 2082827 
							 IC ISOLATED GATE DRIVER 16SOIC제조사 : 
												Texas Instruments
												/ 포장 : 
											테이프 및 릴(TR)
												/ 계열 : 
												/ 기술 : 
											정전 용량 결합
												/ 채널 개수 : 
											1
												/ 전압 - 분리 : 
											5700Vrms
												/ 공통 모드 일시 내성(최소) : 
											100kV/µs
												/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 
											110ns, 110ns
												/ 펄스 폭 왜곡(최대) : 
												/ 상승/하강 시간(통상) : 
											18ns, 20ns
												/ 전류 - 고출력, 저출력 : 
											2.5A, 3.4A
												/ 전류 - 피크 출력 : 
											2.7A, 5.5A
												/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 
												/ 전류 - DC 순방향(If) : 
												/ 전압 - 공급 : 
											2.25 V ~ 5.5 V
												/ 작동 온도 : 
											-40°C ~ 125°C
												/ 실장 유형 : 
											표면실장(SMD, SMT)
												/ 패키지/케이스 : 
											16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
												/ 공급 장치 패키지 : 
											16-SOIC
												/ 승인 : 
											CQC, CSA, UR, VDE | 
								단위 2000
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					|  | .jpg)  | 
							
							상품번호 : 2082826 
							 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC제조사 : 
												Texas Instruments
												/ 포장 : 
											테이프 및 릴(TR)
												/ 계열 : 
												/ 기술 : 
											정전 용량 결합
												/ 채널 개수 : 
											1
												/ 전압 - 분리 : 
											5700Vrms
												/ 공통 모드 일시 내성(최소) : 
											100kV/µs
												/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 
											110ns, 110ns
												/ 펄스 폭 왜곡(최대) : 
												/ 상승/하강 시간(통상) : 
											20ns, 20ns
												/ 전류 - 고출력, 저출력 : 
											1.5A, 3.4A
												/ 전류 - 피크 출력 : 
											2.7A, 5.5A
												/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 
												/ 전류 - DC 순방향(If) : 
												/ 전압 - 공급 : 
											3 V ~ 5.5 V
												/ 작동 온도 : 
											-40°C ~ 125°C
												/ 실장 유형 : 
											표면실장(SMD, SMT)
												/ 패키지/케이스 : 
											16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
												/ 공급 장치 패키지 : 
											16-SOIC
												/ 승인 : 
											CQC, CSA, UR, VDE | 
								단위 2000
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					|  | .jpg)  | 
							
							상품번호 : 2082825 
							 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC제조사 : 
												Texas Instruments
												/ 포장 : 
											컷 테이프(CT)
												/ 계열 : 
												/ 기술 : 
											정전 용량 결합
												/ 채널 개수 : 
											1
												/ 전압 - 분리 : 
											5700Vrms
												/ 공통 모드 일시 내성(최소) : 
											100kV/µs
												/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 
											110ns, 110ns
												/ 펄스 폭 왜곡(최대) : 
												/ 상승/하강 시간(통상) : 
											20ns, 20ns
												/ 전류 - 고출력, 저출력 : 
											1.5A, 3.4A
												/ 전류 - 피크 출력 : 
											2.7A, 5.5A
												/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 
												/ 전류 - DC 순방향(If) : 
												/ 전압 - 공급 : 
											3 V ~ 5.5 V
												/ 작동 온도 : 
											-40°C ~ 125°C
												/ 실장 유형 : 
											표면실장(SMD, SMT)
												/ 패키지/케이스 : 
											16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
												/ 공급 장치 패키지 : 
											16-SOIC
												/ 승인 : 
											CQC, CSA, UR, VDE |  |  |     |  | 
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							상품번호 : 2082824 
							 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC제조사 : 
												Texas Instruments
												/ 포장 : 
											튜브
												/ 계열 : 
												/ 기술 : 
											정전 용량 결합
												/ 채널 개수 : 
											1
												/ 전압 - 분리 : 
											5700Vrms
												/ 공통 모드 일시 내성(최소) : 
											100kV/µs
												/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 
											110ns, 110ns
												/ 펄스 폭 왜곡(최대) : 
												/ 상승/하강 시간(통상) : 
											20ns, 20ns
												/ 전류 - 고출력, 저출력 : 
											1.5A, 3.4A
												/ 전류 - 피크 출력 : 
											2.7A, 5.5A
												/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 
												/ 전류 - DC 순방향(If) : 
												/ 전압 - 공급 : 
											3 V ~ 5.5 V
												/ 작동 온도 : 
											-40°C ~ 125°C
												/ 실장 유형 : 
											표면실장(SMD, SMT)
												/ 패키지/케이스 : 
											16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
												/ 공급 장치 패키지 : 
											16-SOIC
												/ 승인 : 
											CQC, CSA, UR, VDE |  |  |     |  | 
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					|  | .jpg)  | 
							
							상품번호 : 2082823 
							 IC GATE DVR IGBT 16SOIC제조사 : 
												Texas Instruments
												/ 포장 : 
											테이프 및 릴(TR)
												/ 계열 : 
												/ 기술 : 
											정전 용량 결합
												/ 채널 개수 : 
											1
												/ 전압 - 분리 : 
											5700Vrms
												/ 공통 모드 일시 내성(최소) : 
											50kV/µs
												/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 
											110ns, 110ns
												/ 펄스 폭 왜곡(최대) : 
												/ 상승/하강 시간(통상) : 
											18ns, 20ns
												/ 전류 - 고출력, 저출력 : 
											2.5A, 3.4A
												/ 전류 - 피크 출력 : 
											2.7A, 5.5A
												/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 
												/ 전류 - DC 순방향(If) : 
												/ 전압 - 공급 : 
											2.25 V ~ 5.5 V
												/ 작동 온도 : 
											-40°C ~ 125°C
												/ 실장 유형 : 
											표면실장(SMD, SMT)
												/ 패키지/케이스 : 
											16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
												/ 공급 장치 패키지 : 
											16-SOIC
												/ 승인 : 
											CQC, CSA, UR, VDE | 
								단위 2000
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							상품번호 : 2082822 
							 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC제조사 : 
												Texas Instruments
												/ 포장 : 
											테이프 및 릴(TR)
												/ 계열 : 
												/ 기술 : 
											정전 용량 결합
												/ 채널 개수 : 
											1
												/ 전압 - 분리 : 
											4250Vrms
												/ 공통 모드 일시 내성(최소) : 
											50kV/µs
												/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 
											110ns, 110ns
												/ 펄스 폭 왜곡(최대) : 
												/ 상승/하강 시간(통상) : 
											20ns, 20ns
												/ 전류 - 고출력, 저출력 : 
											1.5A, 3.4A
												/ 전류 - 피크 출력 : 
											2.7A, 5.5A
												/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 
												/ 전류 - DC 순방향(If) : 
												/ 전압 - 공급 : 
											3 V ~ 5.5 V
												/ 작동 온도 : 
											-40°C ~ 125°C
												/ 실장 유형 : 
											표면실장(SMD, SMT)
												/ 패키지/케이스 : 
											16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
												/ 공급 장치 패키지 : 
											16-SOIC
												/ 승인 : 
											CQC, CSA, UR, VDE | 
								단위 2000
								 |  |     |  | 
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							상품번호 : 2082821 
							 IC GATE DRVR IGBT/MOSFET 16SOIC제조사 : 
												Texas Instruments
												/ 포장 : 
											컷 테이프(CT)
												/ 계열 : 
												/ 기술 : 
											정전 용량 결합
												/ 채널 개수 : 
											1
												/ 전압 - 분리 : 
											4250Vrms
												/ 공통 모드 일시 내성(최소) : 
											50kV/µs
												/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 
											110ns, 110ns
												/ 펄스 폭 왜곡(최대) : 
												/ 상승/하강 시간(통상) : 
											20ns, 20ns
												/ 전류 - 고출력, 저출력 : 
											1.5A, 3.4A
												/ 전류 - 피크 출력 : 
											2.7A, 5.5A
												/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 
												/ 전류 - DC 순방향(If) : 
												/ 전압 - 공급 : 
											3 V ~ 5.5 V
												/ 작동 온도 : 
											-40°C ~ 125°C
												/ 실장 유형 : 
											표면실장(SMD, SMT)
												/ 패키지/케이스 : 
											16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
												/ 공급 장치 패키지 : 
											16-SOIC
												/ 승인 : 
											CQC, CSA, UR, VDE |  |  |     |  | 
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