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상품번호 : 2082979
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
30ns, 30ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2082978
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
30ns, 30ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2082975
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
30ns, 30ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2082974
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
30ns, 30ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2082971
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 16SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 1250
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상품번호 : 2082970
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 16SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2082967
DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
2500Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2082966
DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
2500Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2082963
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 16SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 1250
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상품번호 : 2082962
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 16SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2082959
DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
2500Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2082958
DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
2500Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2082955
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 16SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 1250
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상품번호 : 2082954
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 16SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
16-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
16-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2082951
DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
릴
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
2500Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2082950
DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
2500Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
30kV/µs(일반)
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 40ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
20ns, 20ns(최대)
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
1.5A, 2.5A
/ 전류 - 피크 출력 :
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.5V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.5 V ~ 24 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2082936
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 8DIP
제조사 :
CEL
/ 포장 :
벌크
/ 계열 :
NEPOC
/ 기술 :
광 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
25kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
500ns, 500ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
300ns
/ 상승/하강 시간(통상) :
100ns, 100ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
2A, 2A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
1.65V
/ 전류 - DC 순방향(If) :
25mA
/ 전압 - 공급 :
15 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 100°C
/ 실장 유형 :
스루홀
/ 패키지/케이스 :
8-DIP(0.300", 7.62mm)
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP
/ 승인 :
BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE
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상품번호 : 2082935
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 8SMD GW
제조사 :
CEL
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
NEPOC
/ 기술 :
광 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
25kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
500ns, 500ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
300ns
/ 상승/하강 시간(통상) :
100ns, 100ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
2A, 2A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
1.65V
/ 전류 - DC 순방향(If) :
25mA
/ 전압 - 공급 :
15 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 100°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-SMD 갈매기날개형
/ 승인 :
BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE
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단위 1000
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상품번호 : 2082934
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 8SMD GW
제조사 :
CEL
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
NEPOC
/ 기술 :
광 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
25kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
500ns, 500ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
300ns
/ 상승/하강 시간(통상) :
100ns, 100ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
2A, 2A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
1.65V
/ 전류 - DC 순방향(If) :
25mA
/ 전압 - 공급 :
15 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 100°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-SMD 갈매기날개형
/ 승인 :
BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL
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단위 1000
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상품번호 : 2082933
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 8SMD GW
제조사 :
CEL
/ 포장 :
컷 테이프(CT)
/ 계열 :
NEPOC
/ 기술 :
광 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
25kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
500ns, 500ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
300ns
/ 상승/하강 시간(통상) :
100ns, 100ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
2A, 2A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
1.65V
/ 전류 - DC 순방향(If) :
25mA
/ 전압 - 공급 :
15 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 100°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-SMD 갈매기날개형
/ 승인 :
BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL
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상품번호 : 2082932
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 8SMD GW
제조사 :
CEL
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
NEPOC
/ 기술 :
광 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
25kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
500ns, 500ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
300ns
/ 상승/하강 시간(통상) :
100ns, 100ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
2A, 2A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
1.65V
/ 전류 - DC 순방향(If) :
25mA
/ 전압 - 공급 :
15 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 100°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-SMD 갈매기날개형
/ 승인 :
BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL
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상품번호 : 2082931
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 8SMD GW
제조사 :
CEL
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
NEPOC
/ 기술 :
광 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
25kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
500ns, 500ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
300ns
/ 상승/하강 시간(통상) :
100ns, 100ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
2A, 2A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
1.65V
/ 전류 - DC 순방향(If) :
25mA
/ 전압 - 공급 :
15 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 100°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-SMD 갈매기날개형
/ 승인 :
BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL
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단위 1000
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상품번호 : 2082930
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 8SMD GW
제조사 :
CEL
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
NEPOC
/ 기술 :
광 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
25kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
500ns, 500ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
300ns
/ 상승/하강 시간(통상) :
100ns, 100ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
2A, 2A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
1.65V
/ 전류 - DC 순방향(If) :
25mA
/ 전압 - 공급 :
15 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 100°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-SMD 갈매기날개형
/ 승인 :
BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL
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상품번호 : 2082929
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 8DIP
제조사 :
CEL
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
NEPOC
/ 기술 :
광 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
25kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
500ns, 500ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
300ns
/ 상승/하강 시간(통상) :
100ns, 100ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
2A, 2A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
1.65V
/ 전류 - DC 순방향(If) :
25mA
/ 전압 - 공급 :
15 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 100°C
/ 실장 유형 :
스루홀
/ 패키지/케이스 :
8-DIP(0.400", 10.16mm)
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP
/ 승인 :
BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL
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상품번호 : 2082928
OPTOISO 5KV GATE DRIVER 8DIP
제조사 :
CEL
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
NEPOC
/ 기술 :
광 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
25kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
500ns, 500ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
300ns
/ 상승/하강 시간(통상) :
100ns, 100ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
2A, 2A
/ 전류 - 피크 출력 :
2.5A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
1.65V
/ 전류 - DC 순방향(If) :
25mA
/ 전압 - 공급 :
15 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 100°C
/ 실장 유형 :
스루홀
/ 패키지/케이스 :
8-DIP(0.300", 7.62mm)
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP
/ 승인 :
BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL
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팩스번호: 02-6124-4242 이메일: info@intopion.com
