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상품번호 : 2083300

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8DIP

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 200ns, 200ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083299

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 :

단위 1500

상품번호 : 2083298

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8DIP

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 10kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 700ns, 700ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 :

상품번호 : 2083297

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

단위 1500

상품번호 : 2083296

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

상품번호 : 2083295

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 8DIP

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 15ns, 8ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : UR

상품번호 : 2083294

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 1µs, 1µs / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 100mA, 100mA / 전류 - 피크 출력 : 400mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

단위 1500

상품번호 : 2083293

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 1µs, 1µs / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 100mA, 100mA / 전류 - 피크 출력 : 400mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

상품번호 : 2083292

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8DIP

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 1µs, 1µs / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 100mA, 100mA / 전류 - 피크 출력 : 400mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : UR

상품번호 : 2083291

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 1.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

상품번호 : 2083290

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 1.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

단위 1500

상품번호 : 2083289

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 1.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

상품번호 : 2083288

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8SMD

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 1.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-SMD / 승인 : UR

단위 1500

상품번호 : 2083287

OPTOISO 2.5KV GATE DRIVER 8DIP

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 5kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 500mA / 전류 - 피크 출력 : 1.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.6V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 15 V ~ 30 V / 작동 온도 : -20°C ~ 85°C / 실장 유형 : 스루홀 / 패키지/케이스 : 8-DIP(0.300", 7.62mm) / 공급 장치 패키지 : 8-DIP / 승인 : UR

상품번호 : 2083286

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 350ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 200mA, 200mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

단위 2500

상품번호 : 2083285

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 350ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 200mA, 200mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083284

OPTOISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 350ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 200mA, 200mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083283

ISOLATOR 3.75KVRMS GATE DRVR SO6

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 35ns, 15ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 : CSA, cUL, UL

단위 3000

상품번호 : 2083282

ISOLATOR 3.75KVRMS GATE DRVR SO6

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 35ns, 15ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083281

ISOLATOR 3.75KVRMS GATE DRVR SO6

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 15kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 170ns, 170ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : / 상승/하강 시간(통상) : 35ns, 15ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 : CSA, cUL, UL

상품번호 : 2083280

PHOTOCOUPLER GATE DRIVE SO6

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 145ns, 165ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 18ns, 22ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 :

단위 3000

상품번호 : 2083279

PHOTOCOUPLER GATE DRIVE SO6

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 145ns, 165ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 50ns / 상승/하강 시간(통상) : 18ns, 22ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 2A, 2A / 전류 - 피크 출력 : 2.5A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.57V / 전류 - DC 순방향(If) : 20mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 100°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 :

상품번호 : 2083278

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 6SO-5

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 350ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 : cUR, UR

단위 3000

상품번호 : 2083277

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 6SO-5

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 350ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 : cUR, UR

상품번호 : 2083276

OPTOISO 3.75KV GATE DRIVER 6SO-5

제조사 : Toshiba Semiconductor and Storage / 포장 : 튜브 / 계열 : / 기술 : 광 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 20kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 500ns, 500ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 350ns / 상승/하강 시간(통상) : 50ns, 50ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 400mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 1.55V / 전류 - DC 순방향(If) : 25mA / 전압 - 공급 : 10 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 110°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드) / 공급 장치 패키지 : 6-SO, 5리드(Lead) / 승인 : cUR, UR

상품번호 : 2083275

IC GATE DRIVER N-CH 24SOIC

제조사 : STMicroelectronics / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns / 상승/하강 시간(통상) : 25ns, 25ns(최대) / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : / 전류 - DC 순방향(If) : / 전압 - 공급 : 4.5 V ~ 36 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 24-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 24-SO / 승인 : UL

단위 1000

상품번호 : 2083274

IC GATE DRIVER N-CH 24SOIC

제조사 : STMicroelectronics / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 2500Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns / 상승/하강 시간(통상) : 25ns, 25ns(최대) / 전류 - 고출력, 저출력 : 2.5A, 2.5A / 전류 - 피크 출력 : / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : / 전류 - DC 순방향(If) : / 전압 - 공급 : 4.5 V ~ 36 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 24-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 24-SO / 승인 : UL

상품번호 : 2083273

SI8261BCD-C-ISR

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083272

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083271

SI8261BCD-C-IMR

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VLGA / 공급 장치 패키지 : 8-LGA(10x12.5) / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083270

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 트레이 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VLGA / 공급 장치 패키지 : 8-LGA(10x12.5) / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083269

SI8261BCC-C-ISR

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOIC / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083268

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOIC / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083267

SI8261BCC-C-IPR

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-DIP 갈매기날개형 / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083266

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-DIP 갈매기날개형 / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083265

SI8261BCA-C-ISR

IC ISODRIVER 1CH 4.0A SMD

제조사 : Silicon Labs / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 : / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083264

IC ISODRIVER 1CH 4.0A SMD

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 : / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083263

SI8261BBD-C-ISR

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083262

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083261

SI8261BBD-C-IMR

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VLGA / 공급 장치 패키지 : 8-LGA(10x12.5) / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083260

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VLGA / 공급 장치 패키지 : 8-LGA(10x12.5) / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083259

SI8261BBC-C-ISR

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOIC / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083258

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOIC / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083257

SI8261BBC-C-IPR

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-DIP 갈매기날개형 / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083256

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-DIP 갈매기날개형 / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083255

SI8261BBA-C-ISR

IC ISODRIVER 1CH 4.0A SMD

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 : / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083254

IC ISODRIVER 1CH 4.0A SMD

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 : / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083253

SI8261BAD-C-ISR

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 6.3 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083252

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 6.3 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083251

SI8261BAD-C-IMR

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 6.3 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VLGA / 공급 장치 패키지 : 8-LGA(10x12.5) / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083250

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 6.3 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VLGA / 공급 장치 패키지 : 8-LGA(10x12.5) / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083249

SI8261BAC-C-ISR

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 6.3 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOIC / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083248

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 6.3 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOIC / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083247

SI8261BAC-C-IPR

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 6.3 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-DIP 갈매기날개형 / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083246

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 6.3 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-DIP 갈매기날개형 / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083245

SI8261BAA-C-ISR

IC ISODRIVER 1CH 4.0A SMD

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 6.3 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 : / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083244

IC ISODRIVER 1CH 4.0A SMD

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 4A / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 6.3 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 : / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083243

SI8261ACD-C-ISR

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083242

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083241

SI8261ACD-C-IMR

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VLGA / 공급 장치 패키지 : 8-LGA(10x12.5) / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083240

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 트레이 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VLGA / 공급 장치 패키지 : 8-LGA(10x12.5) / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083239

SI8261ACC-C-ISR

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOIC / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083238

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOIC / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083237

SI8261ACC-C-IPR

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-DIP 갈매기날개형 / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083236

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-DIP 갈매기날개형 / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083235

SI8261ACA-C-ISR

IC ISODRIVER 1CH 0.6A SMD

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 : / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083234

IC ISODRIVER 1CH 0.6A SMD

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 13.5 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 : / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083233

SI8261ABD-C-ISR

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083232

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083231

SI8261ABD-C-IMR

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VLGA / 공급 장치 패키지 : 8-LGA(10x12.5) / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083230

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VLGA / 공급 장치 패키지 : 8-LGA(10x12.5) / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083229

SI8261ABC-C-ISR

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOIC / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083228

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SOIC / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083227

SI8261ABC-C-IPR

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-DIP 갈매기날개형 / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083226

DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 3750Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SMD, 갈매기날개형 / 공급 장치 패키지 : 8-DIP 갈매기날개형 / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083225

SI8261ABA-C-ISR

IC ISODRIVER 1CH 0.6A SMD

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 : / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083224

IC ISODRIVER 1CH 0.6A SMD

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 500mA, 1.2A / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 9.4 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 : / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083223

SI8261AAD-C-ISR

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 6.3 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

단위 2500

상품번호 : 2083222

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 튜브 / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 6.3 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 6-SDIP / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

상품번호 : 2083221

SI8261AAD-C-IMR

DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 8LGA

제조사 : Silicon Labs / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : 자동차, AEC-Q100 / 기술 : 정전 용량 결합 / 채널 개수 : 1 / 전압 - 분리 : 5000Vrms / 공통 모드 일시 내성(최소) : 35kV/µs / 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) : 60ns, 50ns / 펄스 폭 왜곡(최대) : 10ns(일반) / 상승/하강 시간(통상) : 5.5ns, 8.5ns / 전류 - 고출력, 저출력 : 400mA, 600mA / 전류 - 피크 출력 : 600mA / 전압 - 순방향(Vf) 통상 : 2.8V(최대) / 전류 - DC 순방향(If) : 30mA / 전압 - 공급 : 6.3 V ~ 30 V / 작동 온도 : -40°C ~ 125°C / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VLGA / 공급 장치 패키지 : 8-LGA(10x12.5) / 승인 : CQC, CSA, UR, VDE

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