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상품번호 : 2083283
ISOLATOR 3.75KVRMS GATE DRVR SO6
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
/ 기술 :
광 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
15kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
170ns, 170ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
35ns, 15ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
400mA, 400mA
/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
1.55V
/ 전류 - DC 순방향(If) :
20mA
/ 전압 - 공급 :
10 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 100°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SO, 5리드(Lead)
/ 승인 :
CSA, cUL, UL
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단위 3000
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상품번호 : 2083282
ISOLATOR 3.75KVRMS GATE DRVR SO6
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
/ 포장 :
컷 테이프(CT)
/ 계열 :
/ 기술 :
광 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
15kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
170ns, 170ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
35ns, 15ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
400mA, 400mA
/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
1.55V
/ 전류 - DC 순방향(If) :
20mA
/ 전압 - 공급 :
10 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 100°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SO, 5리드(Lead)
/ 승인 :
CSA, cUL, UL
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상품번호 : 2083281
ISOLATOR 3.75KVRMS GATE DRVR SO6
제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
/ 기술 :
광 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
15kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
170ns, 170ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
/ 상승/하강 시간(통상) :
35ns, 15ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
400mA, 400mA
/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
1.55V
/ 전류 - DC 순방향(If) :
20mA
/ 전압 - 공급 :
10 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 100°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.179", 4.55mm 폭, 5 리드)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SO, 5리드(Lead)
/ 승인 :
CSA, cUL, UL
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