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상품번호 : 2083273
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083272
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083269
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083268
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083267
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083266
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083263
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
9.4 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083262
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
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/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
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/ 전류 - DC 순방향(If) :
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9.4 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
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/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083259
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
9.4 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083258
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
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/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
9.4 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083257
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
9.4 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083256
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
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/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
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/ 상승/하강 시간(통상) :
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/ 전류 - 고출력, 저출력 :
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/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
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/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083253
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
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/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.3 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083252
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
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/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.3 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083249
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
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/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
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/ 전압 - 공급 :
6.3 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083248
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
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/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
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/ 전압 - 공급 :
6.3 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083247
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
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6.3 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083246
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
500mA, 1.2A
/ 전류 - 피크 출력 :
4A
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.3 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083243
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
400mA, 600mA
/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083242
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
400mA, 600mA
/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
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/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083239
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
400mA, 600mA
/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083238
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
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/ 상승/하강 시간(통상) :
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/ 전류 - 고출력, 저출력 :
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/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083237
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
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/ 전류 - 고출력, 저출력 :
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600mA
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/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
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/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083236
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
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/ 전압 - 공급 :
13.5 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
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/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083233
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
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/ 상승/하강 시간(통상) :
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/ 전류 - 고출력, 저출력 :
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600mA
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2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
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/ 전압 - 공급 :
9.4 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083232
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
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/ 전류 - 고출력, 저출력 :
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600mA
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9.4 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
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/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083229
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
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600mA
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/ 작동 온도 :
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/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083228
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
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/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083227
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
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/ 작동 온도 :
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/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083226
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
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/ 작동 온도 :
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/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083223
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
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/ 전류 - 고출력, 저출력 :
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/ 전압 - 공급 :
6.3 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083222
DGTL ISO 5KV GATE DRIVER 6SDIP
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
5000Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
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/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
6-SOIC(0.295", 7.50mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
6-SDIP
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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상품번호 : 2083219
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
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10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
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/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
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/ 전류 - DC 순방향(If) :
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6.3 V ~ 30 V
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-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
/ 공급 장치 패키지 :
8-SOIC
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083217
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
테이프 및 릴(TR)
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
400mA, 600mA
/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
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/ 전압 - 공급 :
6.3 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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단위 2500
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상품번호 : 2083216
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
제조사 :
Silicon Labs
/ 포장 :
튜브
/ 계열 :
자동차, AEC-Q100
/ 기술 :
정전 용량 결합
/ 채널 개수 :
1
/ 전압 - 분리 :
3750Vrms
/ 공통 모드 일시 내성(최소) :
35kV/µs
/ 전파 지연 tpLH/tpHL(최대) :
60ns, 50ns
/ 펄스 폭 왜곡(최대) :
10ns(일반)
/ 상승/하강 시간(통상) :
5.5ns, 8.5ns
/ 전류 - 고출력, 저출력 :
400mA, 600mA
/ 전류 - 피크 출력 :
600mA
/ 전압 - 순방향(Vf) 통상 :
2.8V(최대)
/ 전류 - DC 순방향(If) :
30mA
/ 전압 - 공급 :
6.3 V ~ 30 V
/ 작동 온도 :
-40°C ~ 125°C
/ 실장 유형 :
표면실장(SMD, SMT)
/ 패키지/케이스 :
8-SMD, 갈매기날개형
/ 공급 장치 패키지 :
8-DIP 갈매기날개형
/ 승인 :
CQC, CSA, UR, VDE
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