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FET

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FET	전체 상품 31,391 개

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2N7002KA-RTK/P

N Channel MOSFET, ESD Protected 2000V

제조사 : KEC / Package : SOT-23 / Drain-Source Voltage : 60V / Gate-Source Voltage : ±20V / Drain Power Dissipation : 350mW / Junction Temperature : 150°C / Storage Temperature Range : -55~150°C

2N7002KA-RTK/P

N Channel MOSFET, ESD Protected 2000V

단위 3000

ZXMP7A17KTC

MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 70V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 3.8A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 160m옴 @ 2.1A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 18nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 635pF @ 40V / 전력 - 최대 : 2.11W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

단위 2500

ZXMP7A17KTC

MOSFET P-CH 70V 5.7A D PAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 70V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 3.8A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 160m옴 @ 2.1A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 18nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 635pF @ 40V / 전력 - 최대 : 2.11W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

ZXMP7A17KQTC

MOSFET P-CH 70V 3.8A DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 70V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 3.8A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 160m옴 @ 2.1A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA(최소) / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 18nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 635pF @ 40V / 전력 - 최대 : 2.11W / 실장 유형 : / 패키지/케이스 : / 공급 장치 패키지 :

ZXMP7A17GTA

MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 70V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.6A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 160m옴 @ 2.1A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 18nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 635pF @ 40V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

단위 1000

ZXMP7A17GTA

MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 70V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.6A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 160m옴 @ 2.1A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 18nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 635pF @ 40V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

ZXMP7A17GQTA

MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223

단위 1000

ZXMP7A17GQTA

MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223

ZXMP6A18KTC

MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 6.8A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 55m옴 @ 3.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 44nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1580pF @ 30V / 전력 - 최대 : 2.15W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

단위 2500

ZXMP6A18KTC

MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 6.8A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 55m옴 @ 3.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 44nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1580pF @ 30V / 전력 - 최대 : 2.15W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

ZXMP6A17N8TC

MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.7A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.3A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 637pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.56W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO

단위 2500

ZXMP6A17N8TC

MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.7A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.3A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 637pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.56W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO

ZXMP6A17KTC

MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 4.4A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.3A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 637pF @ 30V / 전력 - 최대 : 2.11W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

단위 2500

ZXMP6A17KTC

MOSFET P-CH 60V 4.4A DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 4.4A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.3A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 637pF @ 30V / 전력 - 최대 : 2.11W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

ZXMP6A17GTA

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 3A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 637pF @ 30V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

단위 1000

ZXMP6A17GTA

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 3A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 637pF @ 30V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

ZXMP6A17GQTA

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

단위 1000

ZXMP6A17GQTA

MOSFET P-CH 60V 3A SOT223

ZXMP6A17E6TA

MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.3A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.3A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 637pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-6 / 공급 장치 패키지 : SOT-26

단위 3000

ZXMP6A17E6TA

MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.3A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.3A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 637pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-6 / 공급 장치 패키지 : SOT-26

ZXMP6A17E6QTA

MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.3A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.3A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 637pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-6 / 공급 장치 패키지 : SOT-26

단위 3000

ZXMP6A17E6QTA

MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.3A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 125m옴 @ 2.3A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 17.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 637pF @ 30V / 전력 - 최대 : 1.1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-6 / 공급 장치 패키지 : SOT-26

ZXMP6A16KTC

MOSFET P-CH 60V DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 5.4A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 85m옴 @ 2.9A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 24.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1021pF @ 30V / 전력 - 최대 : 2.11W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

단위 2500

ZXMP6A16KTC

MOSFET P-CH 60V DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 5.4A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 85m옴 @ 2.9A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 24.2nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1021pF @ 30V / 전력 - 최대 : 2.11W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

ZXMP6A13GTA

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 1.7A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 390m옴 @ 900mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 5.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 219pF @ 30V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

단위 1000

ZXMP6A13GTA

MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 1.7A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 390m옴 @ 900mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 5.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 219pF @ 30V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

ZXMP6A13FTA

MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 900mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 400m옴 @ 900mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 5.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 219pF @ 30V / 전력 - 최대 : 625mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23-3

단위 3000

ZXMP6A13FTA

MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 900mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 400m옴 @ 900mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 5.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 219pF @ 30V / 전력 - 최대 : 625mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23-3

ZXMP6A13FQTA

MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 900mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 400m옴 @ 900mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 2.9nC(4.5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 219pF @ 30V / 전력 - 최대 : 625mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23

단위 3000

ZXMP6A13FQTA

MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 60V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 900mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 400m옴 @ 900mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 2.9nC(4.5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 219pF @ 30V / 전력 - 최대 : 625mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23

ZXMP4A57E6TA

MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 40V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.9A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 80m옴 @ 4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 15.8nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 833pF @ 20V / 전력 - 최대 : 1.1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-6 / 공급 장치 패키지 : SOT-26

단위 3000

ZXMP4A57E6TA

MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 40V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.9A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 80m옴 @ 4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 15.8nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 833pF @ 20V / 전력 - 최대 : 1.1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-6 / 공급 장치 패키지 : SOT-26

ZXMP4A16KTC

MOSFET P-CH 40V 6.6A DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 40V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 6.6A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 60m옴 @ 3.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 29.6nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 965pF @ 20V / 전력 - 최대 : 2.15W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

단위 2500

ZXMP4A16KTC

MOSFET P-CH 40V 6.6A DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 40V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 6.6A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 60m옴 @ 3.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 29.6nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 965pF @ 20V / 전력 - 최대 : 2.15W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

ZXMP4A16GTA

MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 40V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 4.6A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 60m옴 @ 3.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 26.1nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1007pF @ 20V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

단위 1000

ZXMP4A16GTA

MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 40V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 4.6A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 60m옴 @ 3.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 26.1nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1007pF @ 20V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

ZXMP3F37N8TA

MOSFET P-CH 30V 6.4A 8SOP

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 6.4A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 25m옴 @ 7.1A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 2.5V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 31.6nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1678pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.56W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO

단위 500

ZXMP3F36N8TA

MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 7.2A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 20m옴 @ 10A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 2.5V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 43.9nC(15V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 2265pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.56W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO

단위 3000

ZXMP3F35N8TA

MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 9.3A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 12m옴 @ 12A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 2.6V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 77.1nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 4600pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.56W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO

단위 500

ZXMP3F30FHTA

MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.8A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 80m옴 @ 2.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 370pF @ 15V / 전력 - 최대 : 950mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23

단위 3000

ZXMP3F30FHTA

MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.8A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 80m옴 @ 2.5A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 370pF @ 15V / 전력 - 최대 : 950mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23

ZXMP3A17E6TA

MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 3.2A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 70m옴 @ 3.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 15.8nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 630pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-6 / 공급 장치 패키지 : SOT-23-6

단위 3000

ZXMP3A17E6TA

MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 3.2A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 70m옴 @ 3.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 15.8nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 630pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-6 / 공급 장치 패키지 : SOT-23-6

ZXMP3A16N8TA

MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 5.6A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 40m옴 @ 4.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 29.6nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1022pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.9W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO

단위 500

ZXMP3A16N8TA

MOSFET P-CH 30V 5.6A 8-SOIC

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 5.6A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 40m옴 @ 4.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 29.6nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1022pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1.9W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) / 공급 장치 패키지 : 8-SO

ZXMP3A16GTA

MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 5.4A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 45m옴 @ 4.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 29.6nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1022pF @ 15V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

단위 1000

ZXMP3A16GTA

MOSFET P-CH 30V 4.6A SOT223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 5.4A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 45m옴 @ 4.2A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 29.6nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1022pF @ 15V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

ZXMP3A13FTA

MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 1.4A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 210m옴 @ 1.4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 6.4nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 206pF @ 15V / 전력 - 최대 : 625mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23-3

단위 3000

ZXMP3A13FTA

MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 1.4A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 210m옴 @ 1.4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 6.4nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 206pF @ 15V / 전력 - 최대 : 625mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23-3

ZXMP2120G4TA

MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 200V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 200mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 25옴 @ 150mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3.5V @ 1mA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 100pF @ 25V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

단위 1000

ZXMP2120G4TA

MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 200V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 200mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 25옴 @ 150mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3.5V @ 1mA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 100pF @ 25V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

ZXMP2120FFTA

MOSFET P-CH 200V SOT23F-3

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 200V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 137mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 28옴 @ 150mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3.5V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 100pF @ 25V / 전력 - 최대 : 1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-3 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : SOT-23F

단위 3000

ZXMP2120FFTA

MOSFET P-CH 200V SOT23F-3

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 200V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 137mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 28옴 @ 150mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3.5V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 100pF @ 25V / 전력 - 최대 : 1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-3 플랫 리드(Lead) / 공급 장치 패키지 : SOT-23F

ZXMP2120E5TA

MOSFET P-CH 200V 0.122A SOT23-5

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 200V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 122mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 28옴 @ 150mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3.5V @ 1mA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 100pF @ 25V / 전력 - 최대 : 750mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-74A, SOT-753 / 공급 장치 패키지 : SOT-23-5

단위 3000

ZXMP2120E5TA

MOSFET P-CH 200V 0.122A SOT23-5

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 200V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 122mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 28옴 @ 150mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 3.5V @ 1mA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 100pF @ 25V / 전력 - 최대 : 750mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SC-74A, SOT-753 / 공급 장치 패키지 : SOT-23-5

ZXMP10A18KTC

MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 3.8A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 150m옴 @ 2.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 26.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1055pF @ 50V / 전력 - 최대 : 2.17W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

단위 2500

ZXMP10A18KTC

MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 3.8A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 150m옴 @ 2.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 26.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1055pF @ 50V / 전력 - 최대 : 2.17W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

ZXMP10A18K

MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

단위 2500

ZXMP10A18K

MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

ZXMP10A18GTA

MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.6A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 150m옴 @ 2.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 26.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1055pF @ 50V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

단위 1000

ZXMP10A18GTA

MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.6A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 150m옴 @ 2.8A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 26.9nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 1055pF @ 50V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

ZXMP10A17KTC

MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.4A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 350m옴 @ 1.4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 10.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 424pF @ 50V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

단위 2500

ZXMP10A17KTC

MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.4A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 350m옴 @ 1.4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 10.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 424pF @ 50V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

ZXMP10A17GTA

MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 1.7A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 350m옴 @ 1.4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 10.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 424pF @ 50V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

ZXMP10A17E6TA

MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 1.3A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 350m옴 @ 1.4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 6.1nC(5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 424pF @ 50V / 전력 - 최대 : 1.1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-6 / 공급 장치 패키지 : SOT-26

단위 3000

ZXMP10A17E6TA

MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 1.3A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 350m옴 @ 1.4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 6.1nC(5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 424pF @ 50V / 전력 - 최대 : 1.1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-6 / 공급 장치 패키지 : SOT-26

ZXMP10A17E6QTA

MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 1.3A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 350m옴 @ 1.4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 10.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 424pF @ 50V / 전력 - 최대 : 1.1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-6 / 공급 장치 패키지 : SOT-26

단위 3000

ZXMP10A17E6QTA

MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 1.3A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 350m옴 @ 1.4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 10.7nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 424pF @ 50V / 전력 - 최대 : 1.1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : SOT-23-6 / 공급 장치 패키지 : SOT-26

ZXMP10A16KTC

MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 3A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 235m옴 @ 2.1A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 16.5nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 717pF @ 50V / 전력 - 최대 : 2.15W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

단위 2500

ZXMP10A16KTC

MOSFET P-CH 100V 3A DPAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 3A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 235m옴 @ 2.1A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 16.5nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 717pF @ 50V / 전력 - 최대 : 2.15W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

ZXMP10A13FTA

MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 600mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 1옴 @ 600mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.5nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 141pF @ 50V / 전력 - 최대 : 625mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23-3

단위 3000

ZXMP10A13FTA

MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 600mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 1옴 @ 600mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 3.5nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 141pF @ 50V / 전력 - 최대 : 625mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23-3

ZXMP10A13FQTA

MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 600mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 1옴 @ 600mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 1.8nC(5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 141pF @ 50V / 전력 - 최대 : 625mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23

단위 3000

ZXMP10A13FQTA

MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET P-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 100V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 600mA(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 1옴 @ 600mA, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 4V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 1.8nC(5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 141pF @ 50V / 전력 - 최대 : 625mW / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 / 공급 장치 패키지 : SOT-23

ZXMNS3BM832TA

MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET N-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 다이오드(절연) / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 180m옴 @ 1.5A, 4.5V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 700mV @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 2.9nC(4.5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 314pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VDFN 노출형 패드 / 공급 장치 패키지 : 8-MLP, MicroFET(3x2)

단위 3000

ZXMNS3BM832TA

MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET N-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 다이오드(절연) / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 30V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 180m옴 @ 1.5A, 4.5V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 700mV @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 2.9nC(4.5V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 314pF @ 15V / 전력 - 최대 : 1W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : 8-VDFN 노출형 패드 / 공급 장치 패키지 : 8-MLP, MicroFET(3x2)

ZXMN7A11KTC

MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET N-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 70V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 4.2A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 130m옴 @ 4.4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 7.4nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 298pF @ 40V / 전력 - 최대 : 2.11W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

단위 2500

ZXMN7A11KTC

MOSFET N-CH 70V 6.1A D-PAK

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 컷 테이프(CT) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET N-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 70V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 4.2A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 130m옴 @ 4.4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 7.4nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 298pF @ 40V / 전력 - 최대 : 2.11W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 / 공급 장치 패키지 : TO-252-3

ZXMN7A11GTA

MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223

제조사 : Diodes Incorporated / 포장 : 테이프 및 릴(TR) / 계열 : / FET 유형 : MOSFET N-Chan, 금속 산화물 / FET 특징 : 표준 / 드레인 - 소스 전압(Vdss) : 70V / 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C : 2.7A(Ta) / Rds On(최대) @ Id, Vgs : 130m옴 @ 4.4A, 10V / Id 기준 Vgs(th)(최대) : 1V @ 250µA / 게이트 전하(Qg) @ Vgs : 7.4nC(10V) / 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds : 298pF @ 40V / 전력 - 최대 : 2W / 실장 유형 : 표면실장(SMD, SMT) / 패키지/케이스 : TO-261-4, TO-261AA / 공급 장치 패키지 : SOT-223

단위 1000